企业简介
天津三安光电有限公司 main business:光电科技研究、咨询、服务；电子产品生产、销售；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试、维修；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进出口业务，但国家限定公司经营和国家禁止进出口的商品及技术除外。（国家有专项、专营规定的，按规定执行） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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天津三安光电有限公司的工商信息
- 120193000021791
- 911201166818870993
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(法人独资)
- 2008年12月30日
- 林科闯
- 60000.000000
- 2008年12月30日 至 2028年12月29日
- 天津市滨海新区市场和质量监督管理局
- 2017年08月22日
- 华苑产业区海泰南道20号
- 光电科技研究、咨询、服务；电子产品生产、销售；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试、维修；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进出口业务，但国家限定公司经营和国家禁止进出口的商品及技术除外。（国家有专项、专营规定的，按规定执行）
天津三安光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104600135B | 一种多结太阳电池芯片 | 2016.08.17 | 本发明公开一种多结太阳能电池芯片，包含一垂直通孔阵列，每个通孔侧壁自内向外包含：绝缘层、透明金属层、 |
| 2 | CN105720160A | 发光二极管及其制备方法 | 2016.06.29 | 本发明提供一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管结构包括第一类型氮化物区、发光区和第二类型氮化物区 |
| 3 | CN105826441A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.08.03 | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管由下至上依次包括缓冲层、非掺氮化物层、N型 |
| 4 | CN105957932A | 晶片接合方法及发光二极管的制作方法 | 2016.09.21 | 本发明提供的晶片接合方法及发光二极管的制作方法，其透过预先改变异质材料在键合前的内应力，使得异质材料 |
| 5 | CN105870275A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管由下至上依次包括N型层、发光层、电子阻挡层 |
| 6 | CN106230379A | 一种多结太阳电池芯片的检测装置及检测方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种多结太阳电池芯片的子电池电流匹配度的检测装置及检测方法，其特征在于：所述装置具有太阳 |
| 7 | CN205786991U | 一种LED晶圆片测试系统 | 2016.12.07 | 本实用新型公开了一种LED晶圆片测试系统，包括载片盘、探针盘、控制系统和积分球采集系统；所述探针盘上 |
| 8 | CN105514207B | 一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多结太阳能电池外 |
| 9 | CN103996772B | 发光二极管芯片及其制作方法 | 2017.04.12 | 本发明提供一种发光二极管芯片及其制作方法，其具有发光外延叠层，至少依次包括第一半导体层、发光层及其第 |
| 10 | CN206098441U | 发光二极管芯片及发光设备 | 2017.04.12 | 本实用新型公开了发光二极管芯片及发光设备，从下至上依次包括导电基板、反射结构及发光外延叠层，所述发光 |
| 11 | CN104124312B | 自给式发光二极管组件 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种自给式发光二极管组件，包括一包含太阳能电池和发光二极管的一体化元件和一包含存储功能的控 |
| 12 | CN206076279U | 发光二极管芯片 | 2017.04.05 | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括：发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含第一覆盖层 |
| 13 | CN104393124B | 一种发光二极管外延片结构的制备方法 | 2017.04.05 | 本发明提供一种发光二极管外延片结构的制备方法，提供一衬底，依次形成N型层、低温Al<sub>x</s |
| 14 | CN206076205U | 晶片寻边器 | 2017.04.05 | 本实用新型提供了一种晶片寻边器，其包括：框架、转动轴和滚轮，所述框架包含前挡板、后挡板及连接前、后挡 |
| 15 | CN304083238S | 发光二极管 | 2017.03.22 | 1．本外观设计产品的名称：发光二极管。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于主要应用于照明器具 |
| 16 | CN103985799B | 发光二极管及其制作方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，依次包括衬底、缓冲层、n型导电层、发光区和p型导电层。所述发 |
| 17 | CN104659140B | 一种多结太阳能电池 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种多结太阳能电池，至少包括：一衬底、一位于衬底之上的第一子电池和一位于第一子电池之上的 |
| 18 | CN104157757B | 一种透明衬底的四元发光二极管及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种透明衬底的四元发光二极管，包括AlGaInP‑LED外延片，将所述AlGaInP‑LE |
| 19 | CN104465902B | 一种发光二极管结构的制备方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种发光二极管结构的制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次生长低温Al<sub>x< |
| 20 | CN205944119U | 一种正装多结太阳能电池 | 2017.02.08 | 本实用新型提供一种正装多结太阳能电池，包括：第一外延结构，自下而上依次包含衬底、第一光电转换叠层和覆 |
| 21 | CN104091874B | 发光二极管 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种发光二极管，包括：基板；半导体发光叠层，位于所述基板上，自下而上包含一第一半导体层、 |
| 22 | CN104091849B | 多结太阳能电池及其制备方法 | 2017.01.18 | 本发明提供一种多结太阳能电池，至少包括一底子电池和一位于所述底电池之上的顶子电池，所述顶子电池仅形成 |
| 23 | CN106340564A | 一种用于光谱校准的多结电池及其制作方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种用于光谱校准的多结电池及其制作方法。该多结电池包括从上到下包括顶电极、具备多个子电池 |
| 24 | CN205880141U | 一种LED测试装置 | 2017.01.11 | 本实用新型提供一种LED测试装置，用于测试LED芯片的光、电参数，至少包括：一个具备固定遮光面积的治 |
| 25 | CN104393070B | 太阳能电池及其制备方法 | 2017.01.11 | 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，其中所述太阳能电池，包括：基板、设置在该基板上的太阳能电池半导 |
| 26 | CN106328787A | 用于植物照明的发光二极管及其制作方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种用于植物照明的发光二极管及其制作方法，其依次包括外延生长的第一红光发光外延叠层、DB |
| 27 | CN106298248A | 太阳能电池及其制备方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池依次包括：导电基板、光阳极、量子点敏化剂、电解液、 |
| 28 | CN106287249A | 发光器件 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种发光器件，包括：电致发光材料层，具有第一表面和第二表面；第一电极，与所述电致发光材料 |
| 29 | CN205790042U | 一种具有倒膜、分片功能的一体机 | 2016.12.07 | 本实用新型公开一种具有倒膜、分片功能的一体机，用于半导体器件的倒膜、分片、计数、打标签，其特征在于： |
| 30 | CN106206886A | 发光二极管 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管，包括N型覆盖层、Al<sub>a</sub> |
| 31 | CN205790049U | 垂直型发光二极管芯片 | 2016.12.07 | 本实用新型公开了一种垂直型发光二极管芯片，其从下至上依次包括：第一电极、导电基板、第一介电层、欧姆接 |
| 32 | CN106129206A | 具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法 | 2016.11.16 | 本发明提供了一种具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法，利用外延预先成长的DBR层，在芯片工艺中再将 |
| 33 | CN205692850U | 发光二极管芯片 | 2016.11.16 | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、一个第一电极及x |
| 34 | CN106025000A | 一种外延缺陷的处理方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种外延缺陷的处理方法，包括以下步骤：在所述外延片表面制备至少一层腐蚀截止层；将外延缺陷 |
| 35 | CN106025028A | 倒装发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开一种具有图形化透明键合层的倒装发光二极管芯片及其制作方法，结构包括：外延叠层，具有相对的上 |
| 36 | CN106025017A | 具有静电保护的发光二极管及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种具有静电保护的发光二极管及其制作方法，其在芯片出光面上设置静电保护区、电极区和出光， |
| 37 | CN103872198B | 一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 | 2016.09.28 | 本发明提供了一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管，所述发光二极管的发光区具有至少一个量子阱结构， |
| 38 | CN205609481U | 一种半导体制造设备 | 2016.09.28 | 本实用新型提供了：一种半导体制造设备，包括：工作腔，至少具有一个开口；输气装置，输出高洁净度气体，并 |
| 39 | CN105932127A | 发光二极管及其制备方法 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，其中所述发光二极管从下至上依次包括第一类型半导体层、发光层、 |
| 40 | CN103730555B | 氮化物半导体发光器件 | 2016.09.07 | 本发明公开了一氮化物半导体发光器件，至少包含：衬底；由氮化物半导体分别形成的n型层、发光层和p型层依 |
| 41 | CN105932079A | 柔性多结太阳电池及其制作方法 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种柔性多结太阳电池及其制作方法。该多结电池从下至上依次为柔性衬底、键合金属、多结电池外 |
| 42 | CN105914275A | 倒装发光二极管及其制作方法 | 2016.08.31 | 本发明为一种倒装发光二极管及其制作方法。本发明公开了一种表面可具有图形化透明基板的四元覆晶薄芯片制作 |
| 43 | CN205501403U | 一种用于镀膜的衬锅 | 2016.08.24 | 本实用新型公开了一种用于镀膜的衬锅，具有底部和与所述底部连接的侧壁，所述衬锅的侧壁外侧具有突出于所述 |
| 44 | CN103996755B | 一种氮化物发光二极管组件的制备方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种氮化物发光二极管组件的制备方法，具有降低电子漏电，降低efficiency droop |
| 45 | CN105870227A | 红外发光二极管 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种红外光发光二极管，自上而下包括P型欧姆电极、接触层、P型覆盖层、活性层、N型覆盖层、 |
| 46 | CN105870290A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管依次包括：导电基板、高反射镜面层、发光外延 |
| 47 | CN105870288A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其结构包括：发光外延叠层，包括第一类型半导体层、有源层和第二 |
| 48 | CN105845801A | 发光二极管及其制作方法 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管包括：发光外延叠层，上表面划分为欧姆接触区和非欧 |
| 49 | CN105845793A | 一种不可见光发光二极管及其制作方法 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种不可见光发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：N型欧姆接触半导体层、N型电流扩 |
| 50 | CN205452255U | 一种圆片真空吸盘 | 2016.08.10 | 本实用新型公开了一种圆片真空吸盘，包括盘体和若干真空吸孔；所述盘体具有若干曝光角度线，所述曝光角度线 |
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